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Hyper ARGUS(R) LED Hyper-Bright, 3 mm (T1), TS GaAIAs LED, Non Diffused
LH K376
Besondere Merkmale
q farbloses, klares Gehause q Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie,
transparentes Substrat
q Kunststoffgehause mit spezieller Formgebung q bei Einsatz eines aueren Reflektors zur Hintergrundbeq q q q q
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet. zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflachen geeignet gleichmaige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weidruck) vor dem aueren Reflektor Lotspiee mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Storimpulsfest nach DIN 40839
q Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben mu die spektrale
Transmission an die von der LED emittierte Wellenlange angepat werden. Features
q colorless, clear package q double heterojunction in GaAIAs technology, transparent q q q q q q q
substrate plasic package with a special design in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels for optical coupling into light pipes uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839
q Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral
transmission must be adjusted to the wavelength emitted by the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06712
LH K376
Typ Type
Emissionsfarbe Color of Emission hyper-red
Gehausefarbe Color of Package colorless clear
Lichtstrom Luminous Flux IF = 20 mA V (mlm) 63 ... 200 100 ... 200 160 ... 320 100 ... 500
Bestellnummer Ordering Code
LH K376-QS LH K376-R LH K376-S LH K376-RT
Q62703-Q3492 Q62703-Q3304 Q62703-Q3305 Q62703-Q3493
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit V max / V min 2.0. Luminous flux ratio in one packaging unit V max / V min 2.0.
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation TA 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Symbol Symbol Werte Values - 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 50 0.5 Einheit Unit C C C mA A
Top Tstg Tj IF IFM
VR Ptot
3 130
V mW
Rth JA
500
K/W
Semiconductor Group
2
LH K376
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF = 20 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA Durchlaspannung Forward voltage IF = 20 mA Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 s, RL = 50 Temperaturkoeffizient von Iv bzw. v, IF = 50 mA Temperature coefficient of Iv or v, IF = 50 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA Temperaturkoeffizient von peak, IF = 50 mA Temperature coefficient of peak, IF = 50 mA Symbol Symbol (typ.) peak (typ.) (typ.) dom (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) VF (max.) VF (typ.) IR (max.) IR (typ.) C0 Werte Values 660 Einheit Unit nm
645
nm
22
nm
1.85 2.3 0.01 10 30
V V A A pF
(typ.) tr (typ.) tf TCI (typ.) (typ.) (typ.) TCV (typ.) (typ.) TC (typ.)
100 100 - 0.4
ns ns %/K
-3 + 0.16
mV/K nm/K
Semiconductor Group
3
LH K376
Relative spektrale Emission rel = f (), TA = 25 C, IF = 20 mA Relative spectral emission V () = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik rel = f () Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH K376
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
Relativer Lichtstrom V/V(20 mA) = f (IF) Relative luminous flux TA = 25 C
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LH K376
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Cathode mark:
Kurzerer Lotspie Short solder lead
Semiconductor Group
6
GEX06712

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